TO-3P 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
364库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
742库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
数据表
600预期 2026/11/27
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGWT30H60DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube