ICS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
921库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGF14NC60KD Tube
IXYS IXDA20N120AS-TUBE
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 Amps 1200V
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si IXDA20N120AS Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFET 2500V 75A
数据表
无库存交货期 77 周
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 2.5 kV 3 V - 25 V, 25 V 156 A 753 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 Amps 1200V
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
: 800
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXDA20N120AS Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 1600V
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 1.6 kV 6.2 V - 20 V, 20 V 28 A 250 W - 55 C + 150 C IXBF40N160 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
数据表
5,018库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 26 A 130 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGA5065ADF Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 600V
数据表
156库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube