RJP65T54DPM-A0#T2

Name: Renesas Electronics RJP65T54DPM-A0#T2
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-RJP65T54DPM-A0T2
Price: 86.52 RMB
Availability: LimitedAvailability

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Mouser编号：

968-RJP65T54DPM-A0T2

制造商编号：

RJP65T54DPM-A0#T2

制造商：

Renesas Electronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650V/30A/TO-3PFP

寿命周期:

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数据表:

RJP65T54DPM-A0#T2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-3PFP
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.35 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	60 A
Pd-功率耗散:	63.5 W
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	Renesas Electronics
集电极最大连续电流 Ic:	30 A
栅极—射极漏泄电流:	1 uA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	25
子类别:	IGBTs

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 116

库存：: 116 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

数量大于116的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥97.7676	¥97.77
	¥59.7996	¥598.00
	¥50.7031	¥5,070.31
	¥50.5449	¥25,272.45

RJP65T54DPM-A0#T2

制造商： Renesas Electronics

说明： 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650V/30A/TO-3PFP

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绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650V/30A/TO-3PFP