POS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 15
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 资格 封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 448库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 35 A 125 W - 55 C + 150 C STGB19NC60KDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 1,525库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC PG-TO263-7 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V 20 V 33 A 176 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 882库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC PG-TO263-7 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V 379库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600v IGBT 483库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 684库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 125 W - 55 C + 150 C STGP19NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT 3,000库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 35 A 32 W - 55 C + 150 C STGF19NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET 860库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGB8NC60KD Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET 1,180库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 62 W - 55 C + 150 C STGD8NC60KD Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
5,000预期 2026/11/27
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 10A NPT IGBT 861库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 20 A 139 W - 55 C + 150 C FGP10N60UNDF Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 7A NPT IGBT 710库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 14 A 83 W - 55 C + 150 C FGB7N60UNDF Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel MOSFET 2,037库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 25 A 80 W - 55 C + 150 C STGD14NC60K Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET 1,970库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 7 A 24 W - 55 C + 150 C STGF8NC60KD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT 389库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 16 A 75 W - 55 C + 150 C SGP10N60RUFD Tube