SiC 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 16
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
数据表
417库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AFGHL75T65SQDC Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
数据表
834库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C AFGHL50T65SQDC AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
1,525库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC PG-TO263-7 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V 20 V 33 A 176 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
882库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC PG-TO263-7 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
数据表
720库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 72
: 800

SiC D2PAK-7 SMD/SMT Single 1.54 V 20 V 75 A 617 W - 55 C + 175 C AFGBG70T65SQDC Reel, Cut Tape

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
数据表
306库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 30 V, 30 V 110 A 385 W - 55 C + 175 C FGH4L75T65MQDC50 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SIC_DISCRETE
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC TO263-3 SMD/SMT 650 V 2.03 V 4.8 V 326 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology APT150GN60B2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 150 A TO-247 MAX
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT150GN60LDQ4G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A TO-264
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT50GF120B2RG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SiC T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 135 A 781 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
数据表

SiC T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 30 V 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
数据表

SiC TO-247-3 Through Hole Single 900 V 30 V 78 A 337 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
数据表

SiC SOT-227-4 Screw Mount Single 900 V 30 V 87 A 284 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX
数据表

SiC T-Max-3 Through Hole Single 900 V 30 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
数据表

SiC SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 20 V 128 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-247 MAX
数据表

SiC T-Max-3 Through Hole Single 900 V 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube