SiC JFET

结果: 18
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
Vds-漏源极击穿电压
Vgs-栅源极击穿电压
Vgs=0时的漏-源电流
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
数据表
592库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO
数据表
533库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET UF3N120007K4S
数据表
1,099库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 112

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi JFET UG4SC075005L8S
数据表
1,075库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 108
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
数据表
540库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 54

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET UJ4N075004L8S
数据表
1,907库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 191
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape
onsemi JFET UJ4N075005K4S
数据表
326库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 35

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
数据表
165库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
数据表
549库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
数据表
1,199库存量
1,600预期 2026/9/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 120
: 800

SiC SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel Single 1.7 kV 3 V, 20 V 2.2 uA 6.8 A 400 mOhms 68 W - 55 C + 175 C UF3N Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi JFET 650V/25MOSICJFETG3TO2
数据表
130库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 650V/80MOSICJFETG3TO2
数据表
326库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/65MOSICJFETG3TO
数据表
355库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/70MOSICJFETG3TO
数据表
382库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
数据表
147预期 2026/9/8
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 289 A 14.3 mOhms 1.127 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
数据表
150预期 2026/9/8
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 238 A 17.5 mOhms 931 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
数据表
150在途量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 598 A 6.5 mOhms 2.38 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
数据表
150在途量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 522 A 7.3 mOhms 2.142 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape