Dual MOSFET模块

结果: 73
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.7 kV 250 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.8 kW BSMx Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 300A SiC Power Module
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 600 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 SIC Pwr Module Half Bridge
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.26 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.57 kW Bulk


IXYS MOSFET模块 SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC SMD/SMT SMPD-10 N-Channel 1.2 kV 58 A - 20 V, + 20 V - 40 C + 150 C Tube
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Mod: 1200V 180A (no Diode)
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
Infineon Technologies MOSFET模块 EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 2 Channel 1.2 kV 420 A 1.91 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW EconoDUAL 3 Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
数据表
223库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 92 mm x 20 mm x 30 mm N-Channel 1.2 kV 100 A 11.3 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V - 40 C + 150 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 48 mm x 33.8 mm x 12 mm N-Channel 1.2 kV 50 A 16.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
数据表
61库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
数据表
94库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount N-Channel Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 48 mm x 33.8 mm x 12 mm N-Channel 1.2 kV 105 A 5.8 mOhms - 7 V, + 20 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk