DIP-16 MOSFET模块

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 CIPOS PRIME
数据表
124库存量
最低： 1
倍数： 1
: 176

SiC Screw Mount DIP-16 34 A 76.1 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V - 40 C + 175 C 154 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET模块 CIPOS PRIME
数据表
124库存量
最低： 1
倍数： 1
: 176

SiC Screw Mount DIP-16 1.2 kV 30 A 88.3 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V - 40 C + 175 C 140 W Reel, Cut Tape