DFN-6 MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF) 2,900库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF) 2,370库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF) 2,813库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 3,375库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive 2,920库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 2,738库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 P-Channel 1 Channel 60 V 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 165MOHM 2A LOW-SIDE SMAR 8,031库存量
12,000预期 2027/1/11
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 42 V 2 A 165 mOhms - 14 V, 14 V 1.3 V - 40 C + 150 C 8.9 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFET DFN MOSFET 无库存
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 16 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 48 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel