PDFN-8 MOSFET

结果: 5
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
iDEAL Semiconductor MOSFET
数据表
99库存量
200预期 2026/8/12
最低： 1
倍数： 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm
数据表
4,210库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
数据表
331库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape

onsemi MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
数据表
2,400库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 2 Channel 25 V, 30 V 77 A, 180 A 720 uOhms, 3 mOhms - 12 V, 16 V 2 V 19 nC, 67 nC - 55 C + 150 C 29.2 W, 37.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET
数据表

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape