TO-3P MOSFET

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
数据表
2,650库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
IXYS MOSFET TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
数据表
1,140工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P N-Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
数据表
1,170工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P N-Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 175 C 176 W HiPerFET Tube