Bulk RF晶体管

结果: 56
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 250 MHz 150 W + 150 C 14.8 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246 Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC-244B Si 250 MHz 580 W - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 25 dBm + 150 C 16 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 28.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 21.5 dBm + 150 C 14 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 23 dBm + 150 C 15 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz 80 W + 200 C 17.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244F Si 250 MHz 1 kW - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 26 dBm + 150 C 10 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 22 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 26.5 dBm + 150 C 11 dB Bulk
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors Si Bulk
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
WeEn Semiconductors TB100EP
WeEn Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 10,000
倍数： 5,000

RF Bipolar Transistors Si Bulk
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 5,000
倍数： 2,500

RF Bipolar Transistors Through Hole TO-72-4 Bipolar Si - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000

RF Bipolar Transistors Through Hole TO-72-4 Bipolar Si 1.1 GHz - 65 C + 200 C Bulk