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Tube RF晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	产品类型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	技术	工作频率	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	增益	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS PD55008-E STMicroelectronics 1: ¥143.51 1,302库存量	制造商零件编号 PD55008-E Mouser 零件编号 511-PD55008-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS	数据表	1,302库存量	¥143.51 ¥103.1464 ¥95.6997	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD54008-E STMicroelectronics 1: ¥128.707 1,533库存量	制造商零件编号 PD54008-E Mouser 零件编号 511-PD54008-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	1,533库存量	¥128.707 ¥91.0667 ¥84.2867 ¥84.2076 报价报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	11.5 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD57030-E STMicroelectronics 1: ¥412.5065 480库存量	制造商零件编号 PD57030-E Mouser 零件编号 511-PD57030-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	480库存量	¥412.5065 ¥308.7838 ¥277.0195 报价报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	30 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source ARF463AG Microchip Technology 1: ¥340.7854 48库存量	制造商零件编号 ARF463AG Mouser 零件编号 494-ARF463AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source	数据表	48库存量	¥340.7854 ¥339.3051 ¥329.3724 ¥235.4129	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	100 MHz	100 W	- 55 C	+ 150 C	15 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source ARF460BG Microchip Technology 1: ¥457.9212 63库存量	制造商零件编号 ARF460BG Mouser 零件编号 494-ARF460BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	63库存量	¥457.9212 ¥441.8639 ¥422.5183 ¥422.2697 ¥321.8466	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	65 MHz	150 W	- 55 C	+ 150 C	13 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 Microchip Technology ARF468AG ARF468AG Microchip Technology 1: ¥541.7898 28库存量	制造商零件编号 ARF468AG Mouser 零件编号 494-ARF468AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264	数据表	28库存量	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs				Si						Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz SD2932BW STMicroelectronics 1: ¥1,805.7739 35库存量	制造商零件编号 SD2932BW Mouser 零件编号 511-SD2932BW	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz		35库存量	¥1,805.7739 ¥1,444.5468	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Screw Mount			Si	250 MHz	300 W		+ 200 C	15 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source Microchip Technology ARF465AG ARF465AG Microchip Technology 1: ¥511.3476 273库存量	制造商零件编号 ARF465AG Mouser 零件编号 494-ARF465AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source	数据表	273库存量	¥511.3476 ¥432.7674 查看报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole			Si	60 MHz	150 W	- 55 C	+ 150 C	13 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source Microchip Technology ARF465BG ARF465BG Microchip Technology 1: ¥511.3476 21库存量	制造商零件编号 ARF465BG Mouser 零件编号 494-ARF465BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source	数据表	21库存量	¥511.3476 ¥457.2545 ¥435.0048 查看报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole			Si	60 MHz	150 W	- 55 C	+ 150 C	13 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS PD55003-E STMicroelectronics 1: ¥93.8804 5,095库存量	制造商零件编号 PD55003-E Mouser 零件编号 511-PD55003-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS	数据表	5,095库存量	¥93.8804 ¥65.3479 ¥62.8619 ¥58.647	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	3 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060-E STMicroelectronics 1: ¥529.1338 1,185库存量	制造商零件编号 PD57060-E Mouser 零件编号 511-PD57060-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	1,185库存量	¥529.1338 ¥400.5963 ¥391.5789	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	60 W	- 65 C	+ 150 C	14.3 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz SD2942W STMicroelectronics 1: ¥1,625.2903 97库存量 90预期 2027/8/13	制造商零件编号 SD2942W Mouser 零件编号 511-SD2942W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz	数据表	97库存量 90预期 2027/8/13	¥1,625.2903 ¥1,305.4212	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Screw Mount			Si	175 MHz	350 W		+ 200 C	15 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF101BN NXP Semiconductors 1: ¥383.3638 557库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF101BN Mouser 零件编号 771-MRF101BN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	557库存量	¥383.3638 ¥313.5298 ¥302.9417 ¥285.4041 查看 ¥276.963 ¥275.0533 报价	最低： 1 倍数： 1	否	RF MOSFETs	Through Hole	TO-220-3	LDMOS FET	Si	1.8 MHz to 250 MHz	115 W	- 40 C	+ 150 C	21.1 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source ARF460AG Microchip Technology 1: ¥468.6675 82库存量	制造商零件编号 ARF460AG Mouser 零件编号 494-ARF460AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	82库存量	¥468.6675 ¥396.5396 ¥378.4257 报价报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	65 MHz	150 W	- 55 C	+ 150 C	13 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source ARF461AG Microchip Technology 1: ¥489.8437 69库存量	制造商零件编号 ARF461AG Mouser 零件编号 494-ARF461AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	69库存量	¥489.8437 ¥414.5744 ¥395.6356 报价报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	65 MHz	150 W	- 55 C	+ 150 C	13 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source ARF463AP1G Microchip Technology 1: ¥372.4706 165库存量 346预期 2027/2/15	制造商零件编号 ARF463AP1G Mouser 零件编号 494-ARF463AP1G	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source	数据表	165库存量 346预期 2027/2/15	¥372.4706 ¥315.2361 ¥300.919 报价报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	100 MHz	100 W	- 55 C	+ 150 C	15 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor PD55015-E STMicroelectronics 1: ¥192.3147 131库存量	制造商零件编号 PD55015-E Mouser 零件编号 511-PD55015-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	数据表	131库存量	¥192.3147 ¥138.877 ¥130.5263	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	15 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor PD55025S-E STMicroelectronics 1: ¥263.7759 102库存量	制造商零件编号 PD55025S-E Mouser 零件编号 511-PD55025S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	数据表	102库存量	¥263.7759 ¥193.3882 ¥184.2126 ¥174.9466	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	25 W	- 65 C	+ 150 C	14.5 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor PD57018-E STMicroelectronics 1: ¥257.9903 440库存量 800预期 2027/7/30	制造商零件编号 PD57018-E Mouser 零件编号 511-PD57018-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	数据表	440库存量 800预期 2027/7/30	¥257.9903 ¥188.9247 ¥179.7378	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	18 W	- 65 C	+ 150 C	16.5 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans PD85035-E STMicroelectronics 1: ¥273.2905 343库存量	制造商零件编号 PD85035-E Mouser 零件编号 511-PD85035-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	数据表	343库存量	¥273.2905 ¥200.7558 ¥191.3994	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-12	LDMOS FET	Si	870 MHz	35 W	- 65 C	+ 165 C	14.9 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz SD2932W STMicroelectronics 1: ¥1,709.8256 68库存量	制造商零件编号 SD2932W Mouser 零件编号 511-SD2932W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz	数据表	68库存量	¥1,709.8256 ¥1,377.9672	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	SMD/SMT	M244		Si	250 MHz	300 W		+ 150 C	16 dB	Tube
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL HFA3096BZ Renesas / Intersil 1: ¥107.8698 727库存量	制造商零件编号 HFA3096BZ Mouser 零件编号 968-HFA3096BZ	Renesas / Intersil	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL	数据表	727库存量	¥107.8698 ¥75.9925 ¥64.2744 ¥64.1727 ¥60.9748	最低： 1 倍数： 1		RF Bipolar Transistors	SMD/SMT	SOIC-Narrow-16	Bipolar	Si	5.5 GHz, 8 GHz		- 55 C	+ 125 C		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V MHT1803A NXP Semiconductors 1: ¥376.9341 129库存量寿命结束	制造商零件编号 MHT1803A Mouser 零件编号 771-MHT1803A 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V		129库存量	¥376.9341 ¥306.5012 ¥286.3533 ¥281.4039 查看 ¥276.1042 ¥260.8153 报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3	LDMOS FET	Si	1.8 MHz to 50 MHz	330 W		+ 150 C	28.2 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF300BN NXP Semiconductors 1: ¥863.659 144库存量 240预期 2027/1/6 寿命结束	制造商零件编号 MRF300BN Mouser 零件编号 771-MRF300BN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	144库存量 240预期 2027/1/6	¥863.659 ¥719.4823 ¥719.3015 ¥657.7278 查看 ¥639.6704 报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3	LDMOS FET	Si	1.8 MHz to 250 MHz	330 W	- 40 C	+ 150 C	20.4 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source Microchip Technology ARF461BG ARF461BG Microchip Technology 1: ¥489.8437 48库存量	制造商零件编号 ARF461BG Mouser 零件编号 494-ARF461BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	48库存量	¥489.8437 ¥414.5744 ¥395.6356 报价报价	最低： 1 倍数： 1		RF MOSFETs	Through Hole			Si	65 MHz	150 W	- 55 C	+ 150 C	13 dB	Tube

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