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Tube RF晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品类型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	技术	工作频率	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	增益	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan PD54003-E STMicroelectronics 1: ¥107.9489 105库存量	制造商零件编号 PD54003-E Mouser 零件编号 511-PD54003-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan	数据表	105库存量	¥107.9489 ¥73.6195 ¥67.0881 ¥56.9859 ¥56.50	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	3 W	- 65 C	+ 150 C	12 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor PD55015S-E STMicroelectronics 1: ¥210.2591 228库存量	制造商零件编号 PD55015S-E Mouser 零件编号 511-PD55015S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	数据表	228库存量	¥210.2591 ¥168.3248 ¥145.5779 ¥136.2328 报价报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	15 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD55025-E STMicroelectronics 1: ¥272.217 45库存量 400预期 2026/12/18	制造商零件编号 PD55025-E Mouser 零件编号 511-PD55025-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	45库存量 400预期 2026/12/18	¥272.217 ¥203.4791 ¥189.4219 ¥182.8001	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	25 W	- 65 C	+ 150 C	14.5 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L NXP Semiconductors MHT1803B MHT1803B NXP Semiconductors 1: ¥375.4538 185库存量寿命结束	制造商零件编号 MHT1803B Mouser 零件编号 771-MHT1803B 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L		185库存量	¥375.4538 ¥304.8514 ¥286.003 ¥281.0536 查看 ¥265.4257 ¥259.5158 报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	1.8 MHz to 50 MHz	300 W		+ 150 C	28.2 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF101AN NXP Semiconductors 1: ¥436.6885 交货期 53 周寿命结束	制造商零件编号 MRF101AN Mouser 零件编号 771-MRF101AN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	交货期 53 周	¥436.6885 ¥357.8258 ¥335.8473 ¥325.9598 查看 ¥316.4904 ¥308.0606	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-220-3	LDMOS FET	Si	1.8 MHz to 250 MHz	115 W	- 40 C	+ 150 C	21.1 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF300AN NXP Semiconductors 1: ¥875.2076 5库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF300AN Mouser 零件编号 771-MRF300AN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	5库存量	¥875.2076 ¥731.0309 ¥710.1937 ¥689.0062 ¥651.3885	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3	LDMOS FET	Si	1.8 MHz to 250 MHz	330 W	- 40 C	+ 150 C	20.4 dB	Tube
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR HFA3046BZ Renesas / Intersil 1: ¥116.1301 2,412在途量	制造商零件编号 HFA3046BZ Mouser 零件编号 968-HFA3046BZ	Renesas / Intersil	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR	数据表	2,412在途量订单发货日期制造商编号： HFA3046BZ 库存： 0 在途量: 412 预期 2027/2/16 2,000 预期 2027/3/22 生产周期： 26 周	¥116.1301 ¥78.4107 ¥71.8793 ¥69.0656 ¥67.1672	最低： 1 倍数： 1	RF Bipolar Transistors		SOIC-14	Bipolar	Si	8 GHz		- 55 C	+ 125 C		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 ARF466AG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466AG Mouser 零件编号 494-ARF466AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si						Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 ARF466BG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466BG Mouser 零件编号 494-ARF466BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	45 MHz	300 W	- 55 C	+ 150 C	16 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD55003S-E STMicroelectronics 1: ¥93.8804 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55003S-E Mouser 零件编号 511-PD55003S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	¥93.8804 ¥65.3479 ¥60.2177 ¥59.3928	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	3 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD57030S-E STMicroelectronics 400: ¥298.772 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57030S-E Mouser 零件编号 511-PD57030S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	¥298.772	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	30 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD57045-E STMicroelectronics 400: ¥362.6283 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57045-E Mouser 零件编号 511-PD57045-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	无库存交货期 23 周	¥362.6283	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	45 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060S-E STMicroelectronics 400: ¥391.5789 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57060S-E Mouser 零件编号 511-PD57060S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	无库存交货期 23 周	¥391.5789	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	60 W	- 65 C	+ 150 C	14.3 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans PD85035S-E STMicroelectronics 400: ¥174.1217 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD85035S-E Mouser 零件编号 511-PD85035S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	数据表	无库存交货期 23 周	¥174.1217 报价报价	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	35 W	- 65 C	+ 150 C	14.9 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source Microchip Technology ARF463BG ARF463BG Microchip Technology 30: ¥342.6047 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF463BG Mouser 零件编号 494-ARF463BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source	数据表	无库存交货期 24 周	¥342.6047 ¥290.0032 ¥276.85 报价报价	最低： 30 倍数： 1	RF MOSFETs				Si						Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source Microchip Technology ARF463BP1G ARF463BP1G Microchip Technology 1: ¥372.4706 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF463BP1G Mouser 零件编号 494-ARF463BP1G	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source	数据表	无库存交货期 24 周	¥372.4706 ¥315.2361 ¥300.919 报价报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole			Si	100 MHz	100 W	- 55 C	+ 150 C	15 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 Microchip Technology ARF468BG ARF468BG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF468BG Mouser 零件编号 494-ARF468BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole			Si	45 MHz	300 W	- 55 C	+ 150 C	15 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 Microchip Technology ARF469AG ARF469AG Microchip Technology 25: ¥586.0406 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF469AG Mouser 零件编号 494-ARF469AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥586.0406 ¥495.9683 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs				Si						Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 Microchip Technology ARF469BG ARF469BG Microchip Technology 25: ¥586.0406 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF469BG Mouser 零件编号 494-ARF469BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥586.0406 ¥495.9683 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs				Si						Tube
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT STMicroelectronics STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB STMicroelectronics 600: ¥17.289 无库存交货期 14 周 NRND	制造商零件编号 STGWT30HP65FB Mouser 零件编号 511-STGWT30HP65FB NRND	STMicroelectronics	射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT	数据表	无库存交货期 14 周	¥17.289 ¥16.046 ¥14.9725	最低： 600 倍数： 300	RF Bipolar Transistors				Si						Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 IXZR16N60 ZiLOG 30: ¥231.9325 无库存	制造商零件编号 IXZR16N60 Mouser 零件编号 747-IXZR16N60	ZiLOG	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 了解更多关于ZiLOG ixys power mosfet 的信息	数据表	无库存	¥231.9325 ¥204.8916 ¥192.6424	最低： 30 倍数： 30	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si		350 W	- 55 C	+ 175 C		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD55008S-E STMicroelectronics 400: ¥75.5179 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55008S-E Mouser 零件编号 511-PD55008S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	¥75.5179 ¥71.8793	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tube
射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz MAX2601ESA+ Analog Devices / Maxim Integrated 受限供货情况	制造商零件编号 MAX2601ESA+ Mouser 零件编号 700-MAX2601ESA	Analog Devices / Maxim Integrated	射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz 了解更多关于Analog Devices / Maxim Integrated maxim hvac solutions 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	RF Bipolar Transistors	SMD/SMT	SOIC-8	Bipolar Power	Si	900 MHz	1 W	- 40 C	+ 85 C		Tube

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