MRFX1K80HR5

NXP Semiconductors
771-MRFX1K80HR5
MRFX1K80HR5

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
LDMOS FET
Reel
Cut Tape
商标: NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 44.7 S
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 2.247 kW
产品类型: RF MOSFETs
系列: MRFX1K80H
工厂包装数量: 50
子类别: RF Transistors
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.9 V
零件号别名: 935351859178
单位重量: 13.159 g
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MRFX系列65V LDMOS晶体管

NXP Semiconductors MRFX系列65V LDMOS晶体管具有高射频输出功率、出色的耐用性和较高的散热性能。这些晶体管具有高功率密度、较低的电流损耗、高效率、宽安全裕度和低至可忽略的磁辐射，并可轻松匹配到50Ω。借助高功率密度、低电流和高安全裕度，可实现具有出色能源管理能力的高度可靠、集成度更高的工业4.0系统。

供货情况

库存：
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在途量:
734
预期 2026/12/21
生产周期：
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

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数量 单价
总价
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¥3,309.2276 ¥33,092.28
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
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