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碳化硅MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac SCTL35N65G2V STMicroelectronics 1: ¥150.5386 2,265库存量	制造商零件编号 SCTL35N65G2V Mouser 零件编号 511-SCTL35N65G2V	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 了解更多关于STMicroelectronics stm hb igbt 的信息	数据表	2,265库存量	剪切带 ¥150.5386 ¥92.9764 ¥88.0044 卷轴 ¥88.0044 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-5	1 Channel	650 V	40 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	417 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A SCT019HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥182.9696 7库存量 600预期 2027/2/12 新产品	制造商零件编号 SCT019HU120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT019HU120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	7库存量 600预期 2027/2/12	剪切带 ¥182.9696 ¥131.1026 ¥115.3843 卷轴 ¥105.9601	最低： 1 倍数： 1 : 600														AEC-Q100
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package SCTHC250N120G3AG STMicroelectronics 1: ¥635.173 交货期 26 周新产品	制造商零件编号 SCTHC250N120G3AG Mouser 零件编号 511-SCTHC250N120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package	数据表	交货期 26 周	¥635.173 ¥524.8285 ¥479.5042	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	STPAK-4	1 Channel	1.2 kV	239 A	8.5 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	304 nC	- 55 C	+ 200 C	994 W		AEC-Q100
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥188.258 32库存量 1,200预期 2027/2/19 新产品	制造商零件编号 SCT020HU120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT020HU120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	32库存量 1,200预期 2027/2/19	剪切带 ¥188.258 ¥129.2833 ¥118.7856 卷轴 ¥107.5308 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥196.8686 570库存量	制造商零件编号 SCT012W90G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	570库存量	¥196.8686 ¥116.955 报价报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥219.446 524库存量	制造商零件编号 SCT015W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	524库存量	¥219.446 ¥137.2272	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥167.3304 246库存量 600预期 2027/7/23	制造商零件编号 SCT020W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	246库存量 600预期 2027/7/23	¥167.3304 ¥100.7508	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥112.5819 541库存量 1,000预期 2027/3/9	制造商零件编号 SCT027H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	541库存量 1,000预期 2027/3/9	剪切带 ¥112.5819 ¥64.0258 ¥63.8563 卷轴 ¥60.3872	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥116.955 242库存量	制造商零件编号 SCT027W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT027W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	242库存量	¥116.955 ¥78.3316 ¥72.6251 ¥61.7884	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	51 nC	- 55 C	+ 200 C	313 W	Enhancement	AEC-Q100
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥112.7401 957库存量	制造商零件编号 SCT040H120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	957库存量	剪切带 ¥112.7401 ¥64.1049 ¥63.9354 卷轴 ¥60.4663	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥116.3787 713库存量 600预期 2027/2/19	制造商零件编号 SCT040W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	713库存量 600预期 2027/2/19	¥116.3787 ¥79.326 ¥69.4837	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q100
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: ¥96.1969 457库存量	制造商零件编号 SCT040W65G3-4 Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	457库存量	¥96.1969 ¥52.6919 ¥49.1324	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥110.9999 429库存量	制造商零件编号 SCT040W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	429库存量	¥110.9999 ¥74.1167 ¥68.817 ¥59.3024	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥75.6874 1,404库存量	制造商零件编号 SCT055TO65G3 Mouser 零件编号 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	1,404库存量	剪切带 ¥75.6874 ¥41.4371 ¥38.7929 ¥35.9001 卷轴 ¥35.9001	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥137.0577 26库存量 1,000预期 2027/1/29	制造商零件编号 SCT018H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	26库存量 1,000预期 2027/1/29	剪切带 ¥137.0577 ¥82.3883 卷轴 ¥77.9135 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥174.5285 13库存量 1,200在途量	制造商零件编号 SCT025W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	13库存量 1,200在途量订单发货日期制造商编号： SCT025W120G3-4AG 库存： 13 可立即发货在途量: 600 预期 2027/5/7 600 预期 2027/6/11 生产周期： 36 周	¥174.5285 ¥120.4354 ¥109.9264 ¥101.0785	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: ¥156.7423 44库存量 600预期 2027/5/14	制造商零件编号 SCT025W120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	44库存量 600预期 2027/5/14	¥156.7423 ¥97.519 ¥91.4848	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥114.1526 39库存量 1,200预期 2027/1/29	制造商零件编号 SCT070W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 的信息	数据表	39库存量 1,200预期 2027/1/29	¥114.1526 ¥76.2637 ¥71.7098 ¥64.3535 ¥60.4663	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥104.638 623库存量	制造商零件编号 SCT040H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	623库存量	剪切带 ¥104.638 ¥61.0426 ¥60.2968 ¥57.2345 卷轴 ¥51.867 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an SCT20N120AG STMicroelectronics 1: ¥141.5325 321库存量	制造商零件编号 SCT20N120AG Mouser 零件编号 511-SCT20N120AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	321库存量	¥141.5325 ¥100.3327 ¥74.693 ¥66.9977 报价报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	20 A	239 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.5 V	45 nC	- 55 C	+ 200 C	175 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac SCTL90N65G2V STMicroelectronics 1: ¥258.0694 1,301库存量	制造商零件编号 SCTL90N65G2V Mouser 零件编号 511-SCTL90N65G2V	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	1,301库存量	剪切带 ¥258.0694 ¥184.5403 ¥174.7771 卷轴 ¥174.7771 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-5	1 Channel	650 V	40 A	18 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	157 nC	- 55 C	+ 175 C	935 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥85.202 8库存量 1,800预期 2027/1/29	制造商零件编号 SCT040TO65G3 Mouser 零件编号 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	8库存量 1,800预期 2027/1/29	剪切带 ¥85.202 ¥53.4377 ¥48.8047 ¥41.9343 卷轴 ¥41.9343	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: ¥114.8871 16库存量 600预期 2027/5/14	制造商零件编号 SCT040W120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	16库存量 600预期 2027/5/14	¥114.8871 ¥80.7272 ¥61.6189	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥113.0678 1库存量 600预期 2027/2/5	制造商零件编号 SCT055W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	1库存量 600预期 2027/2/5	¥113.0678 ¥79.0774 ¥70.4781 ¥60.2968	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: ¥166.8332 5库存量 600预期 2027/2/19	制造商零件编号 SCTW40N120G2VAG Mouser 零件编号 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	5库存量 600预期 2027/2/19	¥166.8332 ¥89.3378	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101