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碳化硅MOSFET

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结果: 59

已应用过滤器:

商标 = 多个值

安装风格

封装 / 箱体

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

资格

重置所有

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符合RoHS

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零件编号

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ¥150.5386
2,285库存量

制造商零件编号
SCTL35N65G2V

Mouser 零件编号
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

了解更多的信息

数据表

2,285库存量

剪切带

¥150.5386

¥92.9764

¥86.7727

卷轴

¥86.7727

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥182.9696
7库存量
600预期 2027/2/12
新产品

制造商零件编号
SCT019HU120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT019HU120G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

了解更多的信息

数据表

7库存量

600预期 2027/2/12

剪切带

¥182.9696

¥131.1026

¥115.3843

卷轴

¥105.9601

最低： 1
倍数： 1

: 600

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥635.173
48库存量
新产品

制造商零件编号
SCTHC250N120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCTHC250N120G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

数据表

48库存量

¥635.173

¥524.8285

¥479.5042

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

STPAK-4

1 Channel

1.2 kV

239 A

8.5 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥188.258
58库存量
1,200预期 2027/2/19
新产品

制造商零件编号
SCT020HU120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT020HU120G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

了解更多的信息

数据表

58库存量

1,200预期 2027/2/19

剪切带

¥188.258

¥129.2833

¥118.7856

卷轴

¥107.5308

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥183.625
610库存量

制造商零件编号
SCT012W90G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

610库存量

¥183.625

¥113.4859

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥213.1632
528库存量

制造商零件编号
SCT015W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

528库存量

¥213.1632

¥137.2272

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥154.5162
363库存量

制造商零件编号
SCT018W65G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

数据表

363库存量

¥154.5162

¥100.4118

¥93.4736

¥82.7951

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥167.3304
256库存量
600预期 2027/7/23

制造商零件编号
SCT020W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

256库存量

600预期 2027/7/23

¥167.3304

¥100.7508

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

Hip247-4

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥156.7423
220库存量
600预期 2027/3/12

制造商零件编号
SCT025W120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

了解更多的信息

数据表

220库存量

600预期 2027/3/12

¥156.7423

¥97.519

¥91.4848

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥112.5819
575库存量
1,000预期 2027/9/17

制造商零件编号
SCT027H65G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

575库存量

1,000预期 2027/9/17

剪切带

¥112.5819

¥64.0258

¥63.8563

卷轴

¥60.3872

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥116.955
246库存量

制造商零件编号
SCT027W65G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

了解更多的信息

数据表

246库存量

¥116.955

¥78.3316

¥72.6251

¥61.7884

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥112.7401
990库存量

制造商零件编号
SCT040H120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

990库存量

剪切带

¥112.7401

¥64.1049

¥63.9354

卷轴

¥60.4663

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥116.3787
750库存量

制造商零件编号
SCT040W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

了解更多的信息

数据表

750库存量

¥116.3787

¥79.326

¥69.4837

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ¥96.1969
467库存量

制造商零件编号
SCT040W65G3-4

Mouser 零件编号
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

467库存量

¥96.1969

¥52.6919

¥49.1324

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥110.9999
481库存量

制造商零件编号
SCT040W65G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

481库存量

¥110.9999

¥74.1167

¥68.817

¥59.3024

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ¥75.6874
1,404库存量

制造商零件编号
SCT055TO65G3

Mouser 零件编号
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

了解更多的信息

数据表

1,404库存量

剪切带

¥75.6874

¥41.4371

¥38.7929

¥35.9001

卷轴

¥35.9001

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥137.0577
24库存量
1,000预期 2027/1/29

制造商零件编号
SCT018H65G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

24库存量

1,000预期 2027/1/29

剪切带

¥137.0577

¥82.3883

卷轴

¥77.9135

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥174.5285
13库存量
1,200在途量

制造商零件编号
SCT025W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

13库存量

1,200在途量

¥174.5285

¥120.4354

¥109.9264

¥101.0785

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥124.8198
39库存量
1,200预期 2027/1/29

制造商零件编号
SCT070W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

39库存量

1,200预期 2027/1/29

¥124.8198

¥93.6318

¥59.1442

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥100.1745
656库存量

制造商零件编号
SCT040H65G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

了解更多的信息

数据表

656库存量

剪切带

¥100.1745

¥56.3305

¥54.8389

卷轴

¥51.867

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: ¥141.5325
334库存量

制造商零件编号
SCT20N120AG

Mouser 零件编号
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

了解更多的信息

数据表

334库存量

¥141.5325

¥100.3327

¥74.693

¥66.9977

报价

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ¥258.0694
1,301库存量

制造商零件编号
SCTL90N65G2V

Mouser 零件编号
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

了解更多的信息

数据表

1,301库存量

剪切带

¥258.0694

¥184.5403

¥174.7771

卷轴

¥174.7771

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ¥84.7839
8库存量
1,800预期 2027/2/5

制造商零件编号
SCT040TO65G3

Mouser 零件编号
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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数据表

8库存量

1,800预期 2027/2/5

剪切带

¥84.7839

¥59.7205

¥44.3412

¥41.358

卷轴

¥41.358

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥114.8871
18库存量
600预期 2027/5/14

制造商零件编号
SCT040W120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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数据表

18库存量

600预期 2027/5/14

¥114.8871

¥80.7272

¥61.6189

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥113.1582
1库存量
600预期 2027/4/16

制造商零件编号
SCT055W65G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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数据表

1库存量

600预期 2027/4/16

¥113.1582

¥84.6144

¥77.4276

¥67.0881

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

碳化硅MOSFET

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

8.5 mOhms
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W