TO-247-4 碳化硅MOSFET

结果: 317
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 2,233库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V 461库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 10

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 127 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 329 nC - 55 C + 175 C 686 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC 491库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 165 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3,280库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V 1,476库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,387库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 40

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 1,038库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101 368库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L 860库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4 443库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24 466库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 388库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 258库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247 1,134库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 50

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 750库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 400库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 314库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 527库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology 碳化硅MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD 982库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1,853库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 694库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement