Reel 碳化硅MOSFET

结果: 577
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2 15库存量
1,000在途量
剪切带
¥159.556
¥108.3557
¥90.3209
¥90.2418
卷轴
¥85.4506
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V 863库存量
剪切带
¥262.2052
¥188.3484
¥178.3366
卷轴
¥178.3366
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 7库存量
3,750在途量
剪切带
¥276.2737
¥221.1862
¥191.2412
¥169.0706
卷轴
¥169.0706
最低: 1
倍数: 1
: 750
CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947库存量
剪切带
¥174.3703
¥131.0235
¥124.1531
¥123.9949
卷轴
¥123.9949
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 2,000库存量
剪切带
¥76.3428
¥44.2508
¥40.4427
¥37.968
卷轴
¥35.821
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS PQFN88 650V 5,718库存量
剪切带
¥107.7794
¥63.0314
¥62.6133
¥59.89
¥59.2233
卷轴
¥59.2233
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT TDFN-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 1,530库存量
剪切带
¥102.8187
¥60.6358
¥57.7317
¥55.8333
卷轴
¥55.8333
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,296库存量
剪切带
¥227.0509
¥176.5964
¥168.4943
¥167.1722
卷轴
¥167.1722
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1,011库存量
剪切带
¥84.2867
¥46.5673
¥43.7536
卷轴
¥41.358
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 10 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 59 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 800库存量
800预期 2026/12/21
剪切带
¥101.0898
¥71.4725
¥53.0761
¥50.2059
卷轴
¥50.2059
最低: 1
倍数: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263 278库存量
剪切带
¥212.44
¥158.6859
¥137.2272
¥122.9779
卷轴
¥122.9779
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263 287库存量
剪切带
¥256.9168
¥203.5017
¥189.7722
¥171.6131
卷轴
¥171.6131
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1,757库存量
剪切带
¥167.2513
¥109.5987
¥103.0673
卷轴
¥103.0673
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1,719库存量
剪切带
¥102.152
¥65.0993
¥61.7884
¥61.2121
卷轴
¥61.2121
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2,763库存量
剪切带
¥107.2031
¥63.7772
¥63.6077
¥59.89
卷轴
¥59.89
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312库存量
剪切带
¥101.4966
¥57.1554
¥55.7542
¥52.771
卷轴
¥52.771
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1,930库存量
剪切带
¥100.4118
¥56.4096
¥55.0084
¥52.0252
卷轴
¥52.0252
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1,726库存量
剪切带
¥88.5016
¥49.1324
¥46.6464
¥46.5673
¥43.505
卷轴
¥43.505
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TOLL,T&R, Industrial 1,133库存量
剪切带
¥79.7328
¥43.844
¥40.6913
¥37.968
卷轴
¥37.968
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 741库存量
剪切带
¥223.0055
¥153.5218
¥145.3293
卷轴
¥145.3293
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 54 A 39 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 648库存量
剪切带
¥121.8592
¥69.7436
¥66.0033
卷轴
¥66.0033
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 496库存量
剪切带
¥321.6771
¥253.685
¥247.4022
卷轴
¥247.4022
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 1,901库存量
剪切带
¥176.1896
¥113.7345
¥112.661
卷轴
¥107.7003
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 2,004库存量
剪切带
¥149.386
¥92.0611
¥91.0667
卷轴
¥87.1004
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V 779库存量
剪切带
¥163.6918
¥109.1806
¥103.3159
卷轴
¥103.3159
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC