SWITCH 碳化硅MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 994库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 909库存量
1,800预期 2026/11/5
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
4,396在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 25m, 750V, Q-TSC, SiC MOSFET

SMD/SMT TSC-22 1 Channel 750 V 97 A 34 mOhms - 10 V, + 23 V 3.9 V 92 nC - 40 C + 175 C 349 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 45m, 750V, Q-TSC, SiC MOSFET

SMD/SMT TSC-22 1 Channel 750 V 55 A 60 mOhms - 10 V, + 23 V 3.9 V 50 nC - 55 C + 175 C 207 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 8m, 750V, Q-TSC, SiC MOSFET

SMD/SMT TSC-22 1 Channel 750 V 288 A 10.4 mOhms - 10 V, + 23 V 3.9 V 278 nC - 55 C + 175 C 1.017 kW Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 15m, 750V, Q-TSC, SiC MOSFET

SMD/SMT TSC-22 1 Channel 750 V 158 A 10.4 mOhms - 10 V, + 23 V 3.9 V 278 nC - 55 C + 175 C 563 W Enhancement