ISSI 存储器 IC

结果: 2,908
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 组织 接口类型 最小工作温度 最大工作温度 封装
ISSI NOR闪存 32Mb, 48-BGA(6x8mm), 3V, RoHS, Bottom Two Sectors Proected, Bottom Boot
960预期 2026/10/28
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-48 32 Mbit - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
114在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3.3V x8 NAND闪存 Q100
1,316在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit 128 M x 8 Parallel - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
220在途量
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit 512 M x 8/256 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit 64 M x 16 SPI - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit 128 M x 16 SPI - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
585预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit 1 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit 1 M x 16 - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
1,195在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
427在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
1,515在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1,536在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1,363在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit 4 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
701预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit 4 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
2,589预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit 4 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
1,500预期 2026/8/19
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit 4 M x 16 0 C + 70 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
2,292在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit 16 M x 8/8 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
3,479在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit 4 M x 32 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,392在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
239预期 2026/9/9
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR
348预期 2027/7/27
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,496在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器
259预期 2027/7/20
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
648在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Tray