Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

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数量 RoHS 产品类型
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封装 / 箱体
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最小工作温度
最大工作温度
封装
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC DDR2, 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit 64 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
数据表
627在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit 256 M x 16 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
552预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit 256 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
数据表
418预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
324预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
450预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit 64 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
121预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 64 M x 8 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
数据表
216预期 2026/10/21
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 0 C + 70 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
108预期 2026/10/20
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
455预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 64 Mbit 4 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit 64 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit 16 M x 16 0 C + 70 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
数据表
交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit 128 M x 16 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit 512 M x 8 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
数据表
交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit 512 M x 8 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit 2 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 220
倍数： 220

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit 1 G x 8 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
数据表
交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 64 M x 8 0 C + 70 C Tray
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, DIMM, 16GB, x64, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

Memory Modules 16 GB 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, SODIMM, 16GB, x64, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

Memory Modules 16 GB 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, SODIMM, 16GB, x72, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

Memory Modules 16 GB 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 264
倍数： 264

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit 512 M x 4 0 C + 95 C Tray