512 Mbit 存储器 IC

结果: 952
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 组织 接口类型 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装
Macronix NOR闪存 Serial NOR 1.8V 512Mbit x4 I/O BGA-24 QE=1 Automotive +105C
958在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 512 Mbit 128 k x 4 SPI - 40 C + 105 C AEC-Q200 Tray
Macronix NOR闪存 Serial NOR 1.8V 512Mbit x8 I/O BGA-24 RWW Automotive +105C
1,440在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 512 Mbit 64 M x 8 SPI - 40 C + 105 C AEC-Q200 Tray
Macronix NOR闪存 Parallel NOR 3V 512Mbit x16 I/O TSOP-56 Highest Sector Protected
999预期 2026/8/26
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 512 Mbit 32 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI IS25LP512M-RHLA3
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 86库存量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT 512 Mbit 64 M x 8 QPI, SPI - 40 C + 125 C
ISSI IS25WP512M-RHLA3
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 168库存量
最低: 1
倍数: 1
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit 64 M x 8 QPI, SPI - 40 C + 125 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
3,050在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
3,456在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 0 C + 70 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
3,456预期 2027/7/12
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
10,513在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
2,874在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
5,146在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 S动态随机存取存储器
540预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
581预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 512 Mbit 64 M x 8 - 40 C + 85 C Tray
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
8,760在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit 64 M x 8 SPI - 40 C + 105 C
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
24,928在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit 64 M x 8 SPI - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
1,404在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 32 M x 16 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
324在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1,512在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit 64 M x 8 - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile S动态随机存取存储器
347预期 2027/8/2
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
1,881在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit 32 M x 16 0 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
440在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die
925预期 2026/8/19
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit
ISSI NOR闪存 512Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT
960预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit xSPI - 40 C + 125 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR
348预期 2027/7/27
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Tray