动态随机存取存储器

结果: 799
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 60-BALL BGA, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 5库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M16D1A Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4, 2G, 128M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 19库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4, 4G, 256M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 5库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 257库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz WBGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial
131预期 2026/9/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 85 C KTDM Tray
Kingston 动态随机存取存储器 itemp 4Gb 96 ball FBGA DDR4 3200
125在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 13.75 ns 1.2 V 2.5 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 96 ball FBGA DDR4 3200 (NY C)
100预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gb 3.2 Gb/s FBGA-96 512 M x 16 1.14 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
324预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
450预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 667 MHz FBGA-96 64 M x 16 300 ps 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G16D3 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
121预期 2026/8/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
216预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5116SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108预期 2026/10/20
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5116SD Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 49库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz BGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 59库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 28库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 96库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR S动态随机存取存储器 54库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
6,449在途量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial
210在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
240预期 2027/1/26
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
136预期 2027/1/6
最低: 1
倍数: 1

LPDDR4 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
455预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
3,243预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray