3.5 ns 存储器 IC

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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
680在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
131在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
136预期 2026/12/14
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
SMART Modular Technologies 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gb 51 2Mx32 1.1V 4267Mbps 200-ball BGA Ind Distributed-Sold by SMART
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 136
倍数： 136

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 静态随机存取存储器
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 144
倍数： 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst 静态随机存取存储器
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 9Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 36M (1Mx36) 166MHz Sync 静态随机存取存储器 2.5v
数据表
无库存
最低： 72
倍数： 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 36M (1Mx36) 166MHz Sync 静态随机存取存储器 2.5v
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel
Alliance Memory AS8C161831-QC166N
Alliance Memory 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器, 18Mb, 1M x 18, ZBT(Pipelined), 2.5V, 166MHz, 100TQFP - Tray
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
数据表

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
Alliance Memory AS4C128M16MD4V-062BAN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4X, 2Gb, 128M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
数据表

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
Alliance Memory AS4C256M16MD4V-062BAN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4X, 4Gb, 256M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
数据表

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Alliance Memory AS4C64M32MD4-062BAN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4, 2G, 64M x 32, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, Automotive Temp - Tray
数据表

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
Alliance Memory AS4C512M16MD4V-053BIN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4X, 8Gb, 512M x 16, 0.6V, 200-ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Alliance Memory AS4C512M32MD4V-053BIN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit