ISSI 16 bit 存储器 IC

存储器 IC类型

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
585预期 2027/7/28
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
2,376在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
934预期 2026/10/29
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
701预期 2026/9/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
2,589预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
1,500预期 2026/8/19
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,392预期 2026/12/21
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
323在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR
348预期 2027/7/27
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
101在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器
259预期 2027/7/20
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
648在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
1,216在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
136在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
171预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
10在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V 交货期 4 周
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v 交货期 6 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 52 周
最低: 136
倍数: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit