WFBGA-200 动态随机存取存储器

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Micron MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 2G 128MX16 FBGA
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650库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.1 V - 40 C + 95 C
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
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428库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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75库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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1,335库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C MT53E Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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553库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C MT53E Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 IT
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219库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 110S Tray

Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 2G 128MX16 FBGA
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293库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.1 V - 40 C + 95 C
Winbond 动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, Industrial Temp
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38库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 2.133 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C W66BM6NB