NCP51561BBDWR2G

onsemi
863-NCP51561BBDWR2G
NCP51561BBDWR2G

制造商:

说明:
栅极驱动器 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
2 Output
3 V
5 V
11 ns
10 ns
- 40 C
+ 125 C
NCP51561
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
最大关闭延迟时间: 58 ns
最大开启延迟时间: 58 ns
工作电源电流: 7.15 mA
输出电压: 6.5 V to 30 V
Pd-功率耗散: 1.5 W
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 1000
子类别: Shutdown
技术: Si
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
美国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性,提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA),工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。2020 MSMA还预测,使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳排放安森美制造各种VFD半导体元件,包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑,逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度,系统设计人员需要采用各种开关技术,包括硅、IGBT和SiC,以满足最佳应用要求。

NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器

安森美半导体NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器设计用于快速开关,以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。4.5A/9.0A NCP51561栅极驱动器具有较短和匹配的传播延迟。两个独立和5kVRMS(符合UL1577标准)电流隔离栅极驱动器通道可用于两个低侧、两个高侧开关或一个具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。使能引脚在设置为低电平时同时关断两个输出。NCP51561栅极驱动器集成了其他重要保护功能,例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。

库存量: 799

库存:
799 可立即发货
生产周期:
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.8265 ¥32.83
¥24.747 ¥247.47
¥22.7582 ¥568.96
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥22.7582 ¥22,758.20