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TO-247-3 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source ARF460BG Microchip Technology 1: ¥457.9212 63库存量	制造商零件编号 ARF460BG Mouser 零件编号 494-ARF460BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	63库存量	¥457.9212 ¥441.8639 ¥411.0149 ¥321.8466	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	14 A	500 V		65 MHz	13 dB	150 W	- 55 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source ARF463AG Microchip Technology 1: ¥342.6047 48库存量	制造商零件编号 ARF463AG Mouser 零件编号 494-ARF463AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source	数据表	48库存量	¥342.6047 ¥290.0032 ¥276.85 报价报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	9 A	500 V		100 MHz	15 dB	100 W	- 55 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V MHT1803A NXP Semiconductors 1: ¥347.4072 150库存量寿命结束	制造商零件编号 MHT1803A Mouser 零件编号 771-MHT1803A 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V		150库存量	¥347.4072 ¥282.1836 ¥263.5951 ¥259.0864 查看 ¥242.7466 ¥229.7177 报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si				1.8 MHz to 50 MHz	28.2 dB	330 W		+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source ARF460AG Microchip Technology 1: ¥468.6675 82库存量	制造商零件编号 ARF460AG Mouser 零件编号 494-ARF460AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	82库存量	¥468.6675 ¥396.5396 ¥378.4257 报价报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	14 A	500 V		65 MHz	13 dB	150 W	- 55 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source ARF461AG Microchip Technology 1: ¥489.8437 69库存量	制造商零件编号 ARF461AG Mouser 零件编号 494-ARF461AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source	数据表	69库存量	¥489.8437 ¥414.5744 ¥395.6356 报价报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	6.5 A	1 kV		65 MHz	13 dB	150 W	- 55 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source ARF463AP1G Microchip Technology 1: ¥372.4706 165库存量 346在途量	制造商零件编号 ARF463AP1G Mouser 零件编号 494-ARF463AP1G	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source	数据表	165库存量 346在途量	¥372.4706 ¥315.2361 ¥300.919 报价报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	9 A	500 V		100 MHz	15 dB	100 W	- 55 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF300BN NXP Semiconductors 1: ¥795.6556 124库存量 240预期 2027/1/6 寿命结束	制造商零件编号 MRF300BN Mouser 零件编号 771-MRF300BN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	124库存量 240预期 2027/1/6	¥795.6556 ¥662.9484 ¥624.1216 ¥589.4645 查看报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	30 A	133 V		1.8 MHz to 250 MHz	20.4 dB	330 W	- 40 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L NXP Semiconductors MHT1803B MHT1803B NXP Semiconductors 1: ¥351.0458 189库存量寿命结束	制造商零件编号 MHT1803B Mouser 零件编号 771-MHT1803B 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L		189库存量	¥351.0458 ¥285.2233 ¥267.7648 ¥263.2448 查看 ¥247.0067 ¥243.0065 报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si				1.8 MHz to 50 MHz	28.2 dB	300 W		+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V MRF300AN NXP Semiconductors 1: ¥801.735 5库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF300AN Mouser 零件编号 771-MRF300AN 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V	数据表	5库存量	¥801.735 ¥664.1575 ¥646.7894 ¥615.3415 ¥594.154	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	30 A	133 V		1.8 MHz to 250 MHz	20.4 dB	330 W	- 40 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 ARF466AG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466AG Mouser 零件编号 494-ARF466AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥464.6108 查看报价	最低： 25 倍数： 1		Si									Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 ARF466BG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466BG Mouser 零件编号 494-ARF466BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 25 倍数： 1	N-Channel	Si	13 A	1 kV	1 Ohms	45 MHz	16 dB	300 W	- 55 C	+ 150 C	Through Hole	TO-247-3	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 IXZR16N60 ZiLOG 30: ¥231.9325 无库存	制造商零件编号 IXZR16N60 Mouser 零件编号 747-IXZR16N60	ZiLOG	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 了解更多关于ZiLOG ixys power mosfet 的信息	数据表	无库存	¥231.9325 ¥204.8916 ¥192.6424	最低： 30 倍数： 30	N-Channel	Si	18 A	600 V	530 mOhms			350 W	- 55 C	+ 175 C	Through Hole	TO-247-3	Tube

TO-247-3 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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