2.1 V 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
数据表
16,978库存量
剪切带
¥41.2563
¥31.3575
¥28.8376
¥26.0578
卷轴
¥23.278
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15 dB 8 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
卷轴
¥362.6283
最低： 300
倍数： 300
: 300
N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
数据表
交货期 53 周
剪切带
¥66.8734
¥51.2455
¥44.2056
¥41.0755
卷轴
¥32.4875
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15.2 dB 7.3 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel