MACOM 射频晶体管

结果: 116
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
数据表
593库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 400 MHz 15 W - 65 C + 150 C 16 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
234库存量
200预期 2027/2/16
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 400 MHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 375-04 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 12 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
数据表
929库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 175 MHz 30 W - 65 C + 150 C 18 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
数据表
489库存量
300预期 2027/3/10
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
数据表
262库存量
120预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz 250 W - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
数据表
570库存量
500预期 2026/12/4
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
数据表
31库存量
120预期 2027/2/22
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 319-07 Si 500 MHz 20 W - 65 C + 150 C 13.5 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 200 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
41库存量
60预期 2027/2/17
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 375-04 Si 100 MHz to 500 MHz 150 W - 65 C + 150 C 8 dB Tray
MACOM MRF1090MB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,50V,90pk
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 249-06 Si 500 MHz 4 W - 65 C + 150 C 18 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
数据表
5库存量
40预期 2027/2/5
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 375-04 Si 100 MHz to 500 MHz 150 W - 65 C + 150 C 11.2 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 744A-01 Si 100 MHz to 500 MHz 100 W - 55 C + 150 C 10 dB Tray


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 100 MHz to 500 MHz 40 W + 200 C 10 dB
MACOM 2N6439
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,225-400MHz,28V,60W
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM MRF1004MB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,35V,9pk
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM PH1214-55EL
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,55W,28V,1.20-1.40GHz
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
150预期 2027/1/6
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM MRF1150MB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,50V,150pk
数据表
149预期 2027/2/22
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM PH1214-25M
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,25W,28V,1.20-1.40GHz
数据表
12预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 2 MHz to 175 MHz 120 W 13 dB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 500
倍数： 500

RF Bipolar Transistors 355J-2 Bipolar Power Si 1.15 GHz - 65 C + 200 C