Si 射频晶体管

结果: 414
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
MACOM MRF10031
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,38V,9pk 15库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors 332A-3 Bipolar Power Si 1.215 GHz - 65 C + 200 C
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,610库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
Microchip Technology MDS800
Microchip Technology 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor 3库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM DU2810S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz 11库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 10 W + 200 C 13 dB

Comchip Technology 射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA 2,587库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 . . 1,396库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Through Hole Bipolar Si 500 MHz - 65 C + 200 C Bulk
MACOM MAPRST0912-50
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min 2库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Si Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 1 GHz 400 W + 200 C 19 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 20库存量
最低: 1
倍数: 1
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 1.6 GHz 180 W + 200 C 14 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 1 GHz 120 W + 200 C 20 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 511库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 676库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 230 MHz 150 W + 150 C 15 dB Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB 503库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 400 MHz 15 W - 65 C + 150 C 16 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB 234库存量
200预期 2027/2/16
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 400 MHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB 38库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 375-04 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 12 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB 929库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 175 MHz 30 W - 65 C + 150 C 18 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB 289库存量
300预期 2027/3/10
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB 250库存量
120预期 2026/10/23
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz 250 W - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB 570库存量
500预期 2026/12/4
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor 24,086库存量
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT TSLP Bipolar Si 14 GHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 44库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230-4 Si 1.8 MHz to 400 MHz 1.8 kW - 40 C + 150 C 24.4 dB Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V 17,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT DFN-16 Si 136 MHz to 941 MHz 8 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V 518库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-WB-4 Si 136 MHz to 520 MHz 70 W - 40 C + 150 C 18.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 19,335库存量
11,000预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT-89-3 Si 136 MHz to 941 MHz 4.9 W - 40 C + 150 C 20.9 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V 2,030库存量
2,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 136 MHz to 520 MHz 33 W - 40 C + 150 C 17.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel