射频(RF)双极晶体管

结果: 17
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数量 RoHS ECAD模型 系列
晶体管类型
技术
晶体管极性
工作频率
直流集电极/Base Gain hfe Min
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极连续电流
最小工作温度
最大工作温度
配置
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si 500 MHz 40 30 V 4 V 16 A - 65 C + 150 C Dual Screw Mount 744A-01 Tray


MACOM 射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
MACOM 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si 500 MHz 40 30 V 4 V 16 A - 65 C + 150 C Dual Screw Mount 744A-01 Tray
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 . .
数据表
1,396库存量
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Si NPN 500 MHz 20 15 V 2.5 V 25 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole Bulk
MACOM MAPRST0912-50
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
数据表
489库存量
300预期 2027/3/10
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si NPN 30 MHz 10 35 V 4 V 3 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-07 Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
数据表
262库存量
120预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si NPN 30 MHz 10 50 V 4 V 16 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-11 Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
数据表
570库存量
500预期 2026/12/4
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si NPN 30 MHz 40 25 V 4 V 20 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-11 Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si NPN 200 MHz 20 35 V 4 V 3.4 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-07 Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
41库存量
60预期 2027/2/17
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si NPN 30 MHz 15 40 V 3 V 20 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-11 Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

Bipolar Power Si NPN 30 MHz 10 18 V 4 V 15 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-07 Tray
MACOM MAPR-000912-500S00
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

Si Tray
MACOM MAPRST0912-350
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

Bipolar Power Si NPN 1.215 GHz 65 V 3 V 32.5 A + 200 C Single Ceramic Tray
MACOM PH1090-350L
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,350W,1090MHz,250us,10%
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

Bipolar Power Si NPN 1.09 GHz 80 V 3 V 17 A - 65 C + 200 C Single Ceramic-2 Tray
WeEn Semiconductors TB100EP
WeEn Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 5,000
倍数： 2,500

PN918 Bipolar Si NPN 20 at 3 mA, 1 V 15 V 3 V 50 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole TO-72-4 Bulk
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000

BFY90 Bipolar Si NPN 1.1 GHz 25 at 2 mA, 1 V 15 V 2.5 V 25 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole TO-72-4 Bulk