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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

ICS 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch STAC2942BW STMicroelectronics 1: ¥1,198.5571 96库存量	制造商零件编号 STAC2942BW Mouser 零件编号 511-STAC2942BW	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch 了解更多关于STMicroelectronics stm stac rf transistors 的信息	数据表	96库存量	¥1,198.5571 ¥942.7929	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	40 A	130 V	250 MHz	21 dB	350 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	STAC244B	Bulk
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V AFT05MP075GNR1 NXP Semiconductors 1: ¥306.7611 272库存量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MP075GNR1 Mouser 零件编号 841-AFT05MP075GNR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V	数据表	272库存量	剪切带 ¥306.7611 ¥248.5774 ¥233.9778 ¥232.8478 ¥219.0392 卷轴 ¥219.0392 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500			N-Channel	Si	8 A	40 V	136 MHz to 520 MHz	18.5 dB	70 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	TO-270-WBG-4	Reel, Cut Tape, MouseReel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel PD55025TR-E STMicroelectronics 600: ¥181.8057 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55025TR-E Mouser 零件编号 511-PD55025TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥181.8057	最低： 600 倍数： 600 : 600			N-Channel	Si	7 A	12.5 V	500 MHz	14.5 dB	25 W		+ 165 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-2	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch STAC4932F STMicroelectronics 80: ¥942.7929 无库存交货期 28 周 NRND	制造商零件编号 STAC4932F Mouser 零件编号 511-STAC4932F NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch 了解更多关于STMicroelectronics stm stac rf transistors 的信息	数据表	无库存交货期 28 周	¥942.7929	最低： 80 倍数： 80			N-Channel	Si	1 mA	200 V	250 MHz	24.6 dB	1 kW	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	STAC244F	Bulk
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch STAC2942FW STMicroelectronics 1: ¥715.4143 21库存量寿命结束	制造商零件编号 STAC2942FW Mouser 零件编号 511-STAC2942FW 寿命结束	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch	数据表	21库存量	¥715.4143 ¥659.3324	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	40 A	130 V	250 MHz	21 dB	350 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	STAC244F	Bulk