600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET

英飞凌600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET是高压功率MOSFET的革命性技术,按照超级结(SJ)原理进行设计,由英飞凌首创。CoolMOS™ PFD7是一个经过优化的平台,专为消费市场中的目标成本敏感型应用量身定制,例如充电器、适配器、电机驱动器、照明等。该系列具有快速开关超级结MOSFET的所有优势,并具有出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现超薄设计。

结果: 19
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 12,010库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 4,780库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT Thin-PAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 14库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,134库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4,057库存量
1,500预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,214库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,786库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 710库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,896库存量
2,500预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 39库存量
10,000预期 2026/3/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,609库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 288库存量
1,500预期 2026/3/5
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2,080库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 141库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2,505库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,358库存量
2,500预期 2026/2/16
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,498库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 368库存量
3,000预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 无库存交货期 16 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 3.8 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel