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Nexperia 1200V SiC MOSFET

Nexperia 1200V SiC MOSFET采用QDPAK（顶部冷却）封装，专为需要高能效、大功率密度和稳健散热性能的汽车和工业电源转换系统而设计。 此系列器件将SiC切换性能与顶部冷却封装架构相结合，提供直接的裸片到散热器散热路径。这减少了对PCB热扩散的依赖，支持在紧凑型设计中采用更简单、更有效的冷却概念。典型应用包括EV车载充电器、DC-DC转换器、牵引和辅助逆变器、EV充电基础设施、可再生能量系统以及大功率AC-DC/DC-DC转换。

特性

  • 低电感封装设计，支持高速可控切换
  • 快速切换性能，低切换损耗
  • 随温度变化保持稳定的RDS(on)
  • 稳健的体二极管具有快速恢复特性
  • 开尔文源极连接可改善切换性能
  • 薄型封装，适用于高度受限的设计
  • 表面贴装封装兼容自动组装/组件
  • 通过直接向散热器进行热传递，简化了散热设计
  • 降低冷却复杂度和系统成本
  • 由于RDS(on)稳定，因此在整个温度范围内效率一致
  • 切换行为干净，减少了振铃和EMI
  • 在空间和高度受限的设计中实现紧凑的系统实施
  • 设计可扩展性覆盖多个RDS(on)选项和资格等级

应用

  • 汽车动力系统（板载充电器、DC-DC转换器、牵引逆变器和辅助 逆变器）
  • EV充电基础设施（AC/DC和DC快速充电）
  • 光伏 (PV) 逆变器
  • 储能系统 (ESS/BESS)
  • 工业电机驱动器和伺服驱动器
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • 大功率AC-DC和DC-DC转换器（包括数据中心电源系统）

快速参考

Nexperia 1200V SiC MOSFET

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物料编号 数据表 描述
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q 数据表 碳化硅MOSFET NSF040120L3A0/SOT429-2/TO247-3
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q 数据表 碳化硅MOSFET NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3
NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q 数据表 碳化硅MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
NSF017120T1A0HP NSF017120T1A0HP 数据表 碳化硅MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
发布日期: 2023-11-15 | 更新日期: 2026-06-24