1200V SiC MOSFET

Nexperia  1200V SiC MOSFET采用3引脚TO-247-3和4引脚TO-247-4封装,用于PCB通孔安装。Nexperia MOSFET具有出色的温度稳定性和快速开关速度,非常适合用于大功率和高压工业应用。这些应用包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Nexperia 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC 255库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 66A N-CH SIC 227库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L 15库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement