onsemi AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT
安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT采用场终止型第4代高速IGBT技术。安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。这些IGBT具有密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。典型应用包括功率因数校正 (PFC)、硬开关、DC-DC转换器、混合动力/电动汽车 (xEV) 车载和非车载充电器，以及工业逆变器。
特性
- 场终止第4代高速IGBT技术
- 为硬开关和软开关拓扑提供最佳性能
- 符合AEC-Q101标准
- 输入电流：75A
- 输入电压：650V
- 导通损耗
- 正温度系数
- 参数分布紧密
- 快速开关
- 最高结温：175 °C
- 低饱和电压：1.6VCE(Sat)（IC=75A时）
- 零件100%经过ILM测试
- 更高的可靠性
应用
- 推拉输出电路无桥PFC
- 直流-直流转换器
- 汽车
- xEV车载和非车载充电器
- 工业逆变器
发布日期: 2020-02-18
| 更新日期: 2024-06-10