onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

安森美半导体FDT4N50NZU UniFET II MOSFET是一款基于先进的平面条和DMOS技术的高压MOSFET。该MOSFET在平面MOSFET中具有较小的导通电阻。它具有出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。借助内部栅极-源极ESD二极管，UniFET II MOSFET可承受超过2kV的HBM浪涌应力。