FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 15.59 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

863-FDT4N50NZU

制造商编号：

FDT4N50NZU

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

数据表:

FDT4N50NZU 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Rds On-漏源导通电阻:	3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.5 V
Qg-栅极电荷:	9.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDT4N50NZU
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDT4N50NZU 数据表 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

安森美半导体FDT4N50NZU UniFET II MOSFET是一款基于先进的平面条和DMOS技术的高压MOSFET。该MOSFET在平面MOSFET中具有较小的导通电阻。它具有出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。借助内部栅极-源极ESD二极管，UniFET II MOSFET可承受超过2kV的HBM浪涌应力。

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库存量: 7,858

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生产周期：: 19 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 4000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥17.6167	¥17.62
	¥8.9383	¥89.38
	¥7.5145	¥751.45
	¥6.0907	¥3,045.35
	¥5.4579	¥5,457.90
	¥5.1076	¥10,215.20
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥4.9042	¥19,616.80

FDT4N50NZU

制造商： onsemi

说明： MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

规格

文件 (4)

数据表

PCN

环境文件

产品与贸易合规

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FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

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