FDT4N50NZU

onsemi
863-FDT4N50NZU
FDT4N50NZU

制造商：

说明：
MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

数据表:
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库存量: 38

库存：
38
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8,000
预期 2027/3/12
生产周期：
37
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 130
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¥-.--
总价:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
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整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
¥6.9947 ¥27,978.80

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
500 V
2 A
3 Ohms
- 25 V, 25 V
5.5 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: FDT4N50NZU
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
捷克共和国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

安森美半导体FDT4N50NZU UniFET II MOSFET是一款基于先进的平面条和DMOS技术的高压MOSFET。该MOSFET在平面MOSFET中具有较小的导通电阻。它具有出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。借助内部栅极-源极ESD二极管，UniFET II MOSFET可承受超过2kV的HBM浪涌应力。

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