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onsemi GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷 以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车 电气化和能源基础设施。

特性

  • 与硅基功率晶体管相比，具有快速开关，低栅极和输出电荷以及增强的效率
  • 更低开关损耗
  • 更高功率密度，可实现更小磁性元件、紧凑型设计和更高集成度
  • 提高了散热性能
  • 电压范围：40V至650V和650V
  • 集成保护特性
  • 高频性能为先进转换级提供更快开关速度
  • 热增强型封装
  • 引脚布局符合行业标准，支持双源采购
  • 专为部署就绪系统而设计

应用

  • 汽车电气化
  • 工业自动化
  • AI数据中心与云基础设施
  • 物理AI、机器人及工业电源
  • 能源基础设施

视频

氮化镓电源转换架构

信息图 - onsemi GaNEXUS™ GaN FET

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物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 封装 / 箱体 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Rds On-漏源导通电阻 Vds-漏源极击穿电压 Vgs - 栅极-源极电压
NTD100N70GN1TXG NTD100N70GN1TXG 数据表 21 A DPAK-3 105 W 3.8 nC 100 mOhms 700 V - 6 V, + 7 V
NTMT100N70GN1TXG NTMT100N70GN1TXG 数据表 21 A DFN-9 111 W 3.8 nC 100 mOhms 700 V - 6 V, + 7 V
NTMT130N70GN1TXG NTMT130N70GN1TXG 数据表 16 A DFN-9 84 W 2.65 nC 130 mOhms 700 V - 6 V, + 7 V
NTMT170N70GN1TXG NTMT170N70GN1TXG 数据表 12 A DFN-9 69 W 2.1 nC 170 mOhms 700 V - 6 V, + 7 V
NTD170N70GN1TXG NTD170N70GN1TXG 数据表 12 A PDSO-E3 64 W 2.1 nC 170 mOhms 700 V - 6 V, + 7 V
NTLCC3D5N10GN1TWG NTLCC3D5N10GN1TWG 数据表 183 A PTFP-N9 250 W 7.3 nC 2.7 mOhms 100 V - 4 V to 6 V
NTLCC5D0N10GN1TWG NTLCC5D0N10GN1TWG 数据表 146 A PTFP-N9 208 W 5.2 nC 3.8 mOhms 100 V - 4 V to 6 V
NTBL035N65GN1TXG NTBL035N65GN1TXG 数据表 64 A PDSO-F9 367 W 21 nC 27 mOhms 650 V - 6 V, + 7 V
NTBT035N65GN1TXG NTBT035N65GN1TXG 数据表 64 A PDSO-G16 462 W 16 nC 27 mOhms 650 V - 6 V, + 7 V
NTBL050N65GN1TXG NTBL050N65GN1TXG 数据表 40 A PDSO-F9 250 W 10.6 nC 39 mOhms 650 V - 6 V, + 7 V
发布日期: 2026-06-17 | 更新日期: 2026-09-11