onsemi GaNEXUS™ GaN FET
安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管（GaN FET）利用GaN的宽带隙材料特性，与硅功率晶体管相比，可实现快速开关以及低栅极电荷与低输出电荷，且具有更高效率。这些特性使其能够在低、中、高及超高电压功率转换应用中实现更高的工作频率、更大的功率密度和更小的磁性元件。增强模式分立式GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）提供40V至650V的电压范围，其中包括集成保护功能的650V GaNEXUS Smart GaN FET，有助于提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、AI数据中心、汽车电气化和能源基础设施。
特性
- 与硅功率晶体管相比，具有快速开关、低栅极电荷与低输出电荷，以及更高效率等特性
- 更低开关损耗
- 更高功率密度，可实现更小磁性元件、紧凑型设计和更高集成度
- 提高了散热性能
- 电压范围：40V至650V和650V
- 集成保护特性
- 高频性能为先进转换级提供更快开关速度
- 热增强型封装
- 引脚布局符合行业标准，支持双源采购
- 专为部署就绪系统而设计
应用
- 汽车电气化
- 工业自动化
- AI数据中心与云基础设施
- 物理AI、机器人及工业电源
- 能源基础设施
GaN功率转换架构
其他资源
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| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | Id-连续漏极电流 | Pd-功率耗散 | Qg-栅极电荷 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD170N70GN1TXG |  |
PDSO-E3 | 12 A | 64 W | 2.1 nC | 170 mOhms |
| NTMT130N70GN1TXG | |
DFN-9 | 16 A | 84 W | 2.65 nC | 130 mOhms |
| NTD100N70GN1TXG | |
DPAK-3 | 21 A | 105 W | 3.8 nC | 100 mOhms |
| NTMT100N70GN1TXG | |
DFN-9 | 21 A | 111 W | 3.8 nC | 100 mOhms |
| NTMT170N70GN1TXG | |
DFN-9 | 12 A | 69 W | 2.1 nC | 170 mOhms |
发布日期: 2026-06-17
| 更新日期: 2026-07-13