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GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, DPAK
- NTD100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥23.8204
-
2,440库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
863-NTD100N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, DPAK
|
|
2,440库存量
|
|
|
¥23.8204
|
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¥15.3002
|
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¥10.4186
|
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¥10.4186
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
:
250
|
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|
SMD/SMT
|
DPAK-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
21 A
|
100 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
3.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
105 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥24.7357
-
2,463库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT100N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
|
|
2,463库存量
|
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|
¥24.7357
|
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|
¥15.9669
|
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|
¥11.0062
|
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|
¥11.0062
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 246
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
21 A
|
100 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
3.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
111 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥22.5774
-
2,472库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT130N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
|
|
2,472库存量
|
|
|
¥22.5774
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
¥10.0118
|
|
|
¥10.0118
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 248
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
16 A
|
130 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.65 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
84 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, 8x8
- NTMT170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥12.5769
-
2,500库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT170N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, 8x8
|
|
2,500库存量
|
|
|
¥12.5769
|
|
|
¥8.3507
|
|
|
¥6.9269
|
|
|
¥6.9269
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
12 A
|
170 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, DPAK
- NTD170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥16.9613
-
2,490库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTD170N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, DPAK
|
|
2,490库存量
|
|
|
¥16.9613
|
|
|
¥10.8367
|
|
|
¥7.2885
|
|
|
¥7.2885
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 249
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
PDSO-E3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
12 A
|
170 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
64 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
- NTLCC3D5N10GN1TWG
- onsemi
-
1:
¥46.8159
-
2,500预期 2027/6/25
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-TLCC3D5N10GN1TWG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
|
|
2,500预期 2027/6/25
|
|
|
¥46.8159
|
|
|
¥30.6908
|
|
|
¥22.5774
|
|
|
¥22.5774
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
PTFP-N9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
183 A
|
2.7 mOhms
|
- 4 V to 6 V
|
2.1 V
|
7.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
- NTLCC5D0N10GN1TWG
- onsemi
-
1:
¥33.4141
-
2,500预期 2027/6/25
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-TLCC5D0N10GN1TWG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
|
|
2,500预期 2027/6/25
|
|
|
¥33.4141
|
|
|
¥21.922
|
|
|
¥16.2946
|
|
|
¥16.2946
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
PTFP-N9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
146 A
|
3.8 mOhms
|
- 4 V to 6 V
|
|
5.2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
208 W
|
Enhancement
|
GaNEXUS
|
GaN
|
|
