onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的散热性能。这些MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）以最小化导通损耗，并具有低电容以最小化驱动损耗。NVMFD5873NL功率MOSFET提供可润湿侧边选项，以增强光学检测效果。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。NVMFD5873NL功率MOSFET非常适合用于电机控制和高侧/低侧开关。
特性
- 低RDS(on)，可最小化导通损耗
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 提供可润湿侧翼选项，可增强光学检测能力
- 符合 AEC-Q101
- 支持PPAP
- 无铅、无卤、无BFR
- 5mm x 6mm双SO-8FL封装
应用
- 电机控制
- 高侧/低侧开关
规范
- 漏极-源极电压：60V
- 栅极-源极电压：±20V
- 脉冲漏极电流（TA=25°C、tp=10μs）：190A
- 源电流（体二极管，Tmb=25°C时）：58A
- 工作结温和存储温度范围：-55°C至175°C
双N沟道MOSFET
其他资源
发布日期: 2026-02-25
| 更新日期: 2026-09-24