onsemi NVMYS4D6N06C N 沟道 MOSFET
安森美 (onsemi) NVMYS4D6N06C N沟道MOSFET是一款60V单N沟道PowerTrench® T6 MOSFET，专为紧凑且高效的开关电源应用而设计。该器件采用LFPAK Power 56封装，具有增强的散热性能，适用于在小占位面积下需要大电流能力的设计。NVMYS4D6N06C通过降低导通电阻来减少导通损耗，并通过降低栅极电荷和电容来最大限度地减少驱动器损耗。该MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP能力，支持需要增强板级可靠性的汽车应用。
安森美 (onsemi) NVMYS4D6N06C N沟道MOSFET是设计用于功率开关应用，包括高侧和低侧驱动器和H桥设计。NVMYS4D6N06C采用LFPAK-4封装，支持在-55°C到+175°C的结温和存放温度范围内运行。
特性
- 单N沟道PowerTrench T6 MOSFET，适用于功率开关应用
- 增强热性能，适用于高效汽车功率设计
- 低RDS(on)有助于最大限度地减少传导损耗
- 低栅极电荷和电容值有助于减少驱动器损耗
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP能力，适用于汽车应用
- 无铅和RoHS合规器件选项
应用
- 功率开关
- 高侧驱动器
- 低侧驱动器
- 半桥
- 汽车
规范
- 漏源电压：60V
- 最大RDS(ON)为4.7mΩ（VGS = 10V时）
- TC = 25°C时，漏极连续电流为92A
- TC = 100°C时，漏极连续电流为65A
- 栅源电压：±20V
- VGS = 10V 时，典型总栅极电荷为19nC。
- 典型输入电容：1530pF
- 典型输出电容：1095pF
- 典型反向传输电容：7pF
- 单脉冲漏源雪崩能量：524mJ
- 结至壳热阻：1.89°C/W
- 工作结温和存放温度范围：-55°C至+175°C
- 包装
- LFPAK-4 Power 56封装
- 5 mm x 6 mm 封装
封装样式
发布日期: 2026-07-09
| 更新日期: 2026-07-15