NVMYS4D6N06CTWG

onsemi
863-NVMYS4D6N06CTWG
NVMYS4D6N06CTWG

制造商:

说明:
onsemi T6 60V SL LFPAK4 5X6

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: onsemi
RoHS: N
商标: onsemi
封装: Reel
封装: Cut Tape
系列: NVMYS4D6N06C
工厂包装数量: 3000
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NVMYS4D6N06C N 沟道 MOSFET

安森美 (onsemi) NVMYS4D6N06C N沟道MOSFET是一款60V单N沟道PowerTrench® T6 MOSFET,专为紧凑且高效的开关电源应用而设计。该器件采用LFPAK Power 56封装,具有增强的散热性能,适用于在小占位面积下需要大电流能力的设计。NVMYS4D6N06C通过降低导通电阻来减少导通损耗,并通过降低栅极电荷和电容来最大限度地减少驱动器损耗。该MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP能力,支持需要增强板级可靠性的汽车应用。

库存量: 2,100

库存:
2,100 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 210
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.2834 ¥18.28
¥8.8479 ¥88.48
¥7.9213 ¥792.13
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥7.9213 ¥23,763.90