NVMYS4D6N06CTWG

onsemi
863-NVMYS4D6N06CTWG
NVMYS4D6N06CTWG

制造商:

说明:
onsemi T6 60V SL LFPAK4 5X6

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新产品:
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预期 2026/8/21
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整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: onsemi
RoHS: N
商标: onsemi
封装: Reel
封装: Cut Tape
系列: NVMYS4D6N06C
工厂包装数量: 3000
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合规代码
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NVMYS4D6N06C N 沟道 MOSFET

安森美 (onsemi) NVMYS4D6N06C N沟道MOSFET是一款60V单N沟道PowerTrench® T6 MOSFET,专为紧凑高效的功率开关应用而设计。该器件采用LFPAK Power 56封装,具有增强的热性能,适用于需要大电流能力且占位面积较小的设计。NVMYS4D6N06C通过低导通电阻减少导通损耗,通过低栅极电荷与低电容将驱动损耗降至最低。该MOSFET通过AEC-Q101认证且支持PPAP,适用于需要增强型板级可靠性的汽车应用。