onsemi NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET
安森美 (onsemi) NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET是一款N沟道功率MOSFET，集成ESD保护。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），漏源电压为100V，25°C时漏极连续电流为1.33A（RθJC）。NVNJWS0K9N10MCL MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，且为无铅产品。典型应用包括OBC、电机控制、风扇泵和LED照明。
特性
- 低RDS(on)
- ESD保护栅极
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 可湿性侧翼，便于增强光学检测
- 无铅器件
应用
- OBC
- 电机控制
- 风扇泵
- LED照明
规范
- 漏极-源极电压：100V
- 栅极-源极电压：±20V
- 脉冲漏极电流：10.18A（tp=10μs）
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
热特性
尺寸图
发布日期: 2026-07-24
| 更新日期: 2026-08-06