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onsemi NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET

安森美 (onsemi) NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET是一款N沟道功率MOSFET，集成ESD保护。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），漏源电压为100V，25°C时漏极连续电流为1.33A（RθJC）。NVNJWS0K9N10MCL MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，且为无铅产品。典型应用包括OBC、电机控制、风扇泵和LED照明。

特性

  • 低RDS(on)
  • ESD保护栅极
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 可湿性侧翼，便于增强光学检测
  • 无铅器件

应用

  • OBC
  • 电机控制
  • 风扇泵
  • LED照明

规范

  • 漏极-源极电压：100V
  • 栅极-源极电压：±20V
  • 脉冲漏极电流：10.18A（tp = 10μs）
  • 工作温度范围：-55°C至+175°C

热特性

性能图表 - onsemi NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET

尺寸图

机械图纸 - onsemi NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET
发布日期: 2026-07-24 | 更新日期: 2026-08-06