NVNJWS0K9N10MCLTAG

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Mouser编号：

863-NJWS0K9N10MCLTAG

制造商编号：

NVNJWS0K9N10MCLTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection, 100 V,1.33mA

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVNJWS0K9N10MCLTAG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	XDFNW-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	1.33 A
Rds On-漏源导通电阻:	1170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	900 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	4.66 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9.2 ns
正向跨导 - 最小值:	0.88 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.3 ns
系列:	NVNJWS0K9N10MCL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	6.5 ns
典型接通延迟时间:	3.4 ns

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数据表

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合规代码

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET

安森美 (onsemi) NVNJWS0K9N10MCL小信号MOSFET是一款N沟道功率MOSFET，集成ESD保护。该MOSFET具有低导通电阻（R_DS(on)），漏源电压为100V，25°C时漏极连续电流为1.33A（R_θJC）。NVNJWS0K9N10MCL MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，且为无铅产品。典型应用包括OBC、电机控制、风扇泵和LED照明。