NVTFS5826NLWFTWG-UM

Name: onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-TFS5826NLWFTWGUM
Price: 12.81 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-TFS5826NLWFTWGUM

制造商编号：

NVTFS5826NLWFTWG-UM

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVTFS5826NLWFTWG-UM 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	22 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	21 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	29 ns
系列:	NVTFS5826NL
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	9 ns

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数据表

NVTFS5826NLWFTWG-UM 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

单N和P通道功率MOSFET

onsemi单N和P通道功率MOSFET的占用空间小，可用于紧凑型设计；R_DS(on)低，将传导损耗降至最低；Q_G和电容低，将驱动器损耗降至最低。onsemi单N和P通道功率MOSFET不含铅，适合用于需符合AEC−Q101标准的场地、需变更控制的车用和其他应用。
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