Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）是一款采用紧凑型TOLT封装的650V和110mΩ常断状态氮化镓（GaN）BDS。该BDS可双向导通电流并阻断电压，将高压耗尽型GaN与低压常关型硅MOSFET相结合。TP65B110HRU BDS基于SuperGaN® Gen 1双向平台打造。该BDS具有卓越的性能、标准栅极驱动兼容性、易于集成和强大的可靠性。TP65B110HRU BDS采用突破性集成功能，从而减少元器件数量、降低成本、缩小占位面积。该BDS可实现超快速切换、高效率和更高的功率密度，非常适合MHz级操作和紧凑型磁性元件。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、AI数据中心和电信电源、电机驱动器和UPS。
特性
- 超快切换，用于高效率和高功率密度的转换器
- 比背对背单向开关占位面积更小，成本更低
- 在包括AC和DC在内的最广泛的运行条件下均能可靠运行。
- 绝缘栅极，阈值高
- 内置低电压降的自由轮换二极管
- 可忽略的反向恢复电荷
- 低栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss）
- 高dv/dt抗噪性
- 软开关和硬开关能力
- 瞬态过电压能力
- DC偏置耐受能力
- 2kV ESD能力（HBM和CDM）
- 符合JEDEC
- 符合RoHS标准且无卤素封装
应用
- 光伏逆变器
- 电池充电器
- 电机驱动器
- AI数据中心和电信电源
- UPS
规范
- S1与S2之间关态持续交流电压（VSS(AC)）：650Vpk（TJ = -55°C至150°C）
- S1与S2之间关态持续直流电压（VSS(DC)）：±650V（TJ = -55°C至150°C）
- S1与S2之间关态瞬态电压（VSS(TR)）：±800V（<>
- 持续栅源电压（VGS,max）：±12V
- 瞬态栅源电压（VGS,max (TR)）：±20V
- 最大功耗（PD）：156W（TC = 25°C时）
- -55°C到150°C存放温度
- 典型栅极阈值电压（VGS(th)）：3V
典型输出特征
示例应用（太阳能微型逆变器）
单级基于DAB的太阳能微逆变器
相关套件
Renesas Electronics RTDACHB0000RS-MF-1 评估套件
支持灵活的GaN BDS调制和操作实验。
视频
发布日期: 2026-03-16
| 更新日期: 2026-08-10