您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

TP65B110HRU-TR

Name: Renesas Electronics TP65B110HRU-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65B110HRU-TR
Price: 58.41 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

227-TP65B110HRU-TR

制造商编号：

TP65B110HRU-TR

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

TP65B110HRU-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Renesas Electronics TP65B110HRU-TR详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 1,254

预期 2026/9/18
生产周期：: 16

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥66.0033	¥66.00
	¥46.4882	¥464.88
	¥37.6403	¥3,764.03
	¥33.4141	¥16,707.05
	¥27.6285	¥27,628.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥26.8036	¥40,205.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
系列:	TP65B110HRU
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

TP65B110HRU-TR 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65B110HRU双向开关（BDS）

Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）是一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。该BDS可实现双向电流导通与电压阻断，其内结合了高压耗尽型GaN器件与低压常关型硅MOSFET。TP65B110HRU BDS基于SuperGaN^® 第一代双向平台而打造。该BDS具有卓越性能、标准栅极驱动兼容性、易集成性及高可靠性。TP65B110HRU BDS采用突破性集成功能，从而减少元器件数量、降低成本、缩小占位面积。该BDS支持超快开关、高效率和更高的功率密度，是MHz级操作和紧凑型磁性器件的理想选择。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、AI数据中心和电信电源、电机驱动器和UPS。